| TNE081 |
Halvledarteknik och tillverkning, 7 p
/Semiconductor Technology/ |
||
Prel. schemalagd
tid: 84 |
|||
|
Utbildningsområde: Naturvetenskap Ämnesgrupp: Fysik Nivå (A-D):D |
|||
|
Mål:
Denna kurs syftar till att göra studenten förtrogen med fundamentala principer för halvledarkomponenter, och hur modeller av komponenter kan skapas från denna förståelse. Hur tillverkas halvledarkomponenter? Grundläggande tillverkningsstegen avhandlas utförlig. Kursdeltagarna får den grundläggande kunskap som är nödvändig för att arbeta med integrerade kretsar och optoelektronik samt tillverkning av dessa komponenter. |
|||
| Förkunskaper: (gäller studerande antagna till program som kursen ges inom, se 'För:' ovan) Envariabelanalys TNG001(eller motsvarande), Linjär algebra TNG002 (eller motsvarande), TNG012 Fysikaliska modeller, Modern fysik TNE041 (eller motsvarande). OBS! Tillträdeskrav för icke programstudenter omfattar vanligen också tillträdeskrav för programmet och ev. tröskelkrav för progression inom programmet, eller motsvarande. |
|||
| Påbyggnadskurser TNE067 Systemutveckling |
|||
| Organisation: 31x 2h storseminarier. 3x 4 laboration. Bonusgrundade inlämningsuppgifter |
|||
| Kursinnehåll: Grundläggande halvledarfysik, begrepp och mekanismer som banddiagram, valens- och ledningsband, Fermi-nivå, Fermi-Dirac -statistik, bandgap, effektivmassa, drift, diffusion, dopning, intrinsisk, extrinsisk, elektron-hålpar, laddning -generation, -rekombination, minoritetsbärare, majoritetsbärare, mm. kommer att belysas utförlig. Funktionssätt och modellering för pn-övergångar, kontaktpotential, utarmningsområde samt olika genombrottmekanismer för p-n övergångar förklaras. Funktionssätt och I-V karakteristika av några komponenttyper som fälteffekttransistorer MOSFET och bipolära transistorer behandlas också. Grundläggande processer som jonimplantation, diffusion, termisk oxidation, anealing, deponeringsprocesser som förångning, sputtring, CVD och epitaxiellt tillväxt samt tillverkningsprocesser som optisk och icke optisk litografi, fotoresist och etsning behandlas. Kursdeltagarna ska fördjupa sig inom något av komponent- isolering, -kontaktering metallisering, CMOS teknologi, GaAs teknologi, Bipolär teknologi, samt MEMS. Laborationerna innefattar komponent simuleringar i PSPICE samt laborationer med diod- och transistormätningar. |
|||
| Kurslitteratur: 1-Jasprit Singh, "Semiconductor Devices, basic principles, Wiley & Sons 2002 ISBN 0-471-36245-X. 2-Introduction to Microfabrication;Sami Franssila, Wiley&Sons (2004) ISBN: 0470-85106-6 |
|||
| Examination: | |||
| TEN1 LAB1 UPG4 |
Skriftlig tentamen (U,3,4,5) Laborationer (U,G) Fördjupningsarbete, skriftlig och muntlig presentation: (U,G) |
5 p 1 p 1 p |
|
Undervisningsspråk är Engelska.
Institution: ITN.
Studierektor: Amir Baranzahi
Examinator: Amir Baranzahi
Ansvarig utbildningsnämnd: UNN
Engelsk kursplan
Om inget annat anges ovan gäller betygsskala enligt avsnitt a8.5 i de gemensamma bestämmelserna.
Kursplanen gäller för 2006 enligt beslut av ansvarig utbildningsnämnd.
 |
||||||
| ||||||