| TFYY39 | Fasta tillståndets elektronik, 3 poäng /Solid State Electronics/ För: Y4 | |
| Utbildningsområde: Naturvetenskap Ämnesgrupp: Fysik | ||
| Fördjupningsnivå: D | ||
| Mål: Kursen ger fördjupade kunskaper om avancerade komponentstrukturer som är intressanta i mikroelektronik industrier, deras fysik och begränsningar samt utvecklingen av nya komponenter baserade på heteroövergångar, supergitter och nanostrukturer. De studerande ges också en översikt om aktuell komponentforskning och framtidens komponenter. Förkunskaper: Önskvärt, men ej krav, är att kurserna TFFY34 Halvledarteknik och TFFY35 Halvledarfysik genomgåtts.Organisation: Kursen ges på engelska i form av föreläsningar, laborationer och ett industribesök.Kursinnehåll: Översikt av elektroniska egenskaper hos halvledare (bandstrukturer, teorin för laddningsbärar-fördelningar, transport och rekombination); teorin för olika övergångar som p-n övergångar, metall-halvledarövergångar, och heteroövergångar; komponentfysik för olika bipolära och fälteffekttransistorer för höghastighets och mikrovågstillämpningar inkuderande poly-Si emitter BJTs (10-50 GHz), Si/SiGe och III-V HBTs (100-300 GHz), miniatyriserade MOSFETs (under 1 mikrometer), och HEMTs; och högeffektskomponenter. Kurslitteratur: Michael Shur: Physics of Semiconductor Devices, Prentice-Hall, New Jersey, samt Kurskompendium (Wei-Xin Ni, IFM). Andra referencer: S.M. Sze: Physics of Semiconductor Devices, John Wiley & Sons, New York; B. Streetman: Solid State Electronic Devices, Prentice-Hall, New Jersey. | ||
| TEN1 | En skriftlig tentamen, 2,5 p. | |
| LAB1 | En laborationskurs, 0,5 p. | |
Undervisningsspråk är Engelska.
Studierektor: Sven Stafström