| TFYY36 | Halvledartillväxt, 3 poäng /Growth of Semiconductors/ För: Y4, Y5 | |
| Utbildningsområde: Naturvetenskap Ämnesgrupp: Fysik | ||
| Fördjupningsnivå: D | ||
| Mål: Målet med kursen är att ge en generell introduktion till fundamentala principer för tillväxt av halvledare med lämpliga egenskaper för tillverkning av komponenter. Utöver detta kommer en del avancerade tillväxttekniker att demonstreras och kursdeltagarna kommer att få en unik chans att kombinera teoretisk kunskap med praktisk tillämpning. Kursen anknyter till den forskningsverksamhet inom halvledartillväxt som bedrivs vid institutionen för Fysik och Mätteknik i nära samarbete med svensk industri (ABB m fl).Förkunskaper: TFFY25 Termodynamik och statistisk mekanik, TFFY70 Materiefysik (Fasta tillståndets fysik)Påbyggnadskurser: Nya materialOrganisation: Kursen inkluderar 20 timmar föreläsning och 2 förberedelseuppgifter. Kursen ges på engelska. Avancerade tillväxttekniker kommer att demonstreras.Kursinnehåll: 1.Elementära tillväxtprocesser, fas övergångar, kärnbildning för nya faser. 2.Tillväxtteorier, tillväxtmekanismer 3.Drivkraft för tillväxt, övermättnad, underkylning 4.Masstransport, molekulära flöden, diffusion och Stefanflöde, konvektion 5.Kinetik, adsorption, desorption, ytdiffusion 6.Relation mellan övermättnad, tillväxtmekanism och tillväxthastighet 7.Transformationer gas-fast tillstånd, vätsketillstånd-fast tillstånd och olika tillväxttekniker - kapacitet och begränsningar 8.Tillväxtrelaterade defekter 9.Epitaxi 10.Exempel från tillväxt av moderna halvledarmaterial - Si, GaAs, GaN och SiC Kurslitteratur: A.W.Vere: Crystal Growth - Principles and Progress (Plenum Press, New York and London, 1987), Lecture notes. | ||
| TEN1 | Examinationen sker som skriftlig tentamen i slutet av kursen, 3 p. | |
Undervisningsspråk är Engelska.
Studierektor: Sven Stafström