NFYD84 Halvledartillväxt, 5 poäng
/Growth of Semiconductors/

För: fysik och fristående kurs

Utbildningsområde: Naturvetenskap    Ämnesgrupp: Fysik
Fördjupningsnivå: D

Mål:
Efter uppfinningen av den bipolära transisitorn har halvledarindustrin gjotr enorma framsteg. Det krävs ac de flest av de halvledarmaterial som används för tillämpningar inom mkroelektronik och kraftelektronik, att de skall finnas tillgängliga i form av enkristallina material, både som bulkmaterial och epitaxiella filmer. Prestanada hos komponenterna beror till stor del på kvalitén av materialet som används. Målet med kursen är att ge en generell introduktion till fundamentala principer för tillväxt av halvledare med lämpliga egenskaper för tillverkning av komponeneter. Utöver detta kommer en del avancerade tillväxtstekniker att demonstreras och kursdeltagarna kommer att få en unik chans att kombinera teoretisk kunskap med praktisk tillämpning.

Förkunskaper:
Termodynamik, Materiefysik (fasta tillståndetsfysik)

Organisation:
20 h lektioner och två förberedelseuppgifter. Demonstrationer. Kursen ges på engelska.

Kursinnehåll:
- Elemntära tillväxtprocesser, fasövergångar, kärnbildning för nya faser. - Tillväxtteorier, tillväxtmekanismer. - Drivkraft för tilväxt, övermättnad, underkylning. - Masstransport, molekulära flöden, diffusion och Stefanflöden, konvektion. - Kinetik, adsorption, desorption, ytdiffusion. - Relation mellan övermättnad, tillväxtmekanism och tillväxthastighet. - Transformationer gas-fast tillstånd, vätsketillstånd-fast tillstånd och olika tillväxttekniker, kapacitet och begränsningar. - Tillväxtrelaterade defekter. - Epitaxi. - Exempel från tillväxt av moderna halvledarmaterial- Si, GaAs, GaN och SiC.

Kurslitteratur:
A.W. Vere: Chrystal Growth-Principles and Progress (Plenum prtess, New York and London, 1987), Föreläsningsanteckningar.

TEN1En skriftlig tentamen 5p


Undervisningsspråk är svenska.

Studierektor: Helen Dannetun

Kurshemsida: http://www.ifm.liu.se/undergrad/fysikmatnat
Epostadress: hmd@ifm.liu.se

Engelsk kursplan



Gäller 2000, beslut av utbildningsnämnden november 1999