| NFYD79 | HALVLEDARKOMPONENTERS FYSIK, 5 poäng /Semiconductor Device Physics/ För: fysik och fristående kurs | |
| Utbildningsområde: Naturvetenskap Ämnesgrupp: Fysik | ||
| Fördjupningsnivå: D | ||
| Mål: Kursen syftar till att ge en inblick i fysiken bakom halvledarkomponenter för exempelvis optoelektronik, höghastighets- och kraftelektronik. Olika metoder för framställning och processning av materialet för dessa applikationer presenteras. Kursen behandlar den grundläggande pn-övergången och dess tillämpningar samt Schottky-dioden, bipolära transistorn och fälteffekt-transistorn. Ett viktigt avsnitt i kursen utgörs av låg-dimensionella halvledarsystem, heterostrukturer och kvantbrunnar, och dessa strukturers utnyttjande i t ex detektor-, laser- och tunnelkomponenter. Vidare behandlas hur variation av bandgap och töjning i ternära och kvartära multilagerstrukturer kan utnyttjas för att optimera komponentprestanda.Förkunskaper: Genomgången NFYC58 Kvantmekanik och molekylfysik, NFYC56 Fasta tillståndets fysik.Organisation: Föreläsningar och lektioner. Studiebesök vid industrilaboratorier. En laborationskurs ingår.Kursinnehåll: Kristallstruktur (fördjupning). pn-övergång. Laddningsbärare. Kvantbrunnar. Heterostrukturer. Rekombination. Materialtillväxt. Processning. Höghastig hets-komponenter. Kraftkomponenter. Olika typer av transistorer. Tunnel strukturer. Lasrar. Detektorer.Kurslitteratur: Ben Streetman: Solid State Electronic Devices. | ||
| LAB1 | En laborationskurs 2p | |
| TEN1 | En skriftlig tentamen (alt examinationsformer kan förekomma) 3p | |
Undervisningsspråk är Engelska.
Studierektor: Helen Dannetun