TFYA23 Kristalltillväxt teknologi 2007

studiehandbok@lith

Tekniska högskolan vid Linköpings universitet

År : 2007

TFYA23	Kristalltillväxt teknologi, 4 p / 6 hp /Crystal Growth Technology/ För: Fys MPN Y
	Prel. schemalagd tid: 26 Rek. självstudietid: 134
	Utbildningsområde: Naturvetenskap Ämnesgrupp: Fysik Nivå (A-D):D Huvudområde: Fysik, Teknisk fysik Nivå (G1,G2,A): A
	Mål: Det övergripande målet med kursen är att ge en generell introduktion till fundamentala principer för tillväxt av halvledare med lämpliga egenskaper för tillverkning av komponenter. Utöver detta kommer en del avancerade tillväxttekniker att demonstreras och kursdeltagarna kommer att få en unik chans att kombinera teoretisk kunskap med praktisk tillämpning. Kursen anknyter till den forskningsverksamhet inom halvledartillväxt som bedrivs vid institutionen för Fysik och Mätteknik i nära samarbete med svensk industri (Norstel m fl). Det innebär att studenten skall: Känna till och kunna använda grundläggande kristalltillväxt samband Känna till och kunna använda principen för funktionen hos de viktigaste kristalltillväxt teknologi. Kunna tillämpa kunskapen om olika elektroniska och optoelektroniska krisatlltillväxt metoder för att lösa problem främst inom fysik, kemi och teknologi ämnen. Kunna beräkna parameterar och designa enkla kristalltillväxt system.
	Förkunskaper: (gäller studerande antagna till program som kursen ges inom, se 'För:' ovan) Termodynamik och statistisk mekanik, Materiefysik (Fasta tillståndets fysik) OBS! Tillträdeskrav för icke programstudenter omfattar vanligen också tillträdeskrav för programmet och ev. tröskelkrav för progression inom programmet, eller motsvarande.
	Påbyggnadskurser NFYD71 Nya material
	Organisation: 24 timmar föreläsning och 6 timmar laboration
	Kursinnehåll: Elementära tillväxtprocesser, fas övergångar, kärnbildning för nya faser. Tillväxtteorier, tillväxtmekanismer Drivkraft för tillväxt, övermättnad, underkylning Masstransport, molekulära flöden, diffusion och Stefanflöde, konvektion Kinetik, adsorption, desorption, ytdiffusion Relation mellan övermättnad, tillväxtmekanism och tillväxthastighet Transformationer gas-fast tillstånd, vätsketillstånd-fast tillstånd och olika tillväxttekniker - kapacitet och begränsningar Tillväxtrelaterade defekter Epitaxi Exempel från tillväxt av moderna halvledarmaterial - Si, GaAs, GaN och SiC Tillväxt av viktiga elektroniska och optoelektroniska kristaller med vätetermisk teknik Tillväxt av ädelstenar
	Kurslitteratur: K. Byrappa, T. Ohachi (Eds), Crystal growth technology. William Andrew, Springer, 2004 (ISBN 0-8155-1453-0)
	Examination:
MUN1	Examen inkluderar en muntlig examen, samt en skriftlig rapport på laborationerna och på ett valt ämne inom kursen (U,3,4,5)	4 p	/	6 hp

	Kursen har en muntlig tentamen där studenten presenterar ett projektarbete och lösningen på två hemuppgifter. testar studentens förmåga att lösa numeriska problem och design av tillväxtprocesser för olika material.

Undervisningsspråk är Engelska.
Institution: IFM.
Studierektor: Leif Johansson
Examinator: Rositza Yakimova
Ansvarig programnämnd: Elektro&Fysik

Engelsk kursplan

Kursen bedrivs på ett sådant sätt att både mäns och kvinnors erfarenhet och kunskaper synliggörs och utvecklas.

Planering och genomförande av kurs skall utgå från kursplanens formuleringar. Den kursvärdering som ingår i kursen skall därför genomföras med kursplanen som utgångspunkt.

Om inget annat anges ovan gäller betygsskala enligt avsnitt a8.5 i de gemensamma bestämmelserna.

Kursplanen gäller för 2008 enligt beslut av ansvarig programnämnd/fakultetstyrelse.

Tekniska högskolan vid Linköpings universitet
Informationsansvarig: TFK , val@tfk.liu.se Senast ändrad: 09/19/2007